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              二極管、三極管、MOS管、橋堆

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            6. 二極管伏安特性曲線特點(diǎn)圖文解析
              • 發(fā)布時間:2024-05-04 17:55:43
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              二極管伏安特性曲線特點(diǎn)圖文解析
              二極管伏安特性曲線
              二極管伏安特性曲線
              二級管的完整伏安特性如上圖所示,說明如下:
              (1) 在正偏時,當(dāng)VD很小時,電流接幾乎為0。當(dāng)VD增大到一定閾值后(圖中為0.7V左右),電流開始極快地以指數(shù)級增長(毫安級)。
              (2) 在反偏時,反向飽和電流IS維持一個很小值(微安級),不隨反偏電壓變化。但是當(dāng)反偏電壓達(dá)到反向峰值電壓PIV時,二極管反向擊穿,反向電流急速增長。
              上面的曲線也可以用公式來描述,稱為肖克利方程:
              二極管伏安特性曲線
              各參數(shù)說明如下:
              IS是反向飽和電流,一般通過查二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書得到,典型值在10-15~10-13A之間;
              VD是偏置電壓,正偏時為正,反偏時為負(fù);
              n為理想因子,其值范圍可取1~2,一般我們?nèi)?;
              VT為熱電壓,一般在常溫下約為26mV。
              雖然肖克利方程提供了計算二極管電流值的方法,不過一般在實(shí)際中我們不太會真用它去計算,因為根據(jù)二極管實(shí)際的伏安特性曲線和根據(jù)理論計算出的值有較大差距,所以一般我們都是以二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書提供的實(shí)際數(shù)據(jù)和曲線為準(zhǔn)。
              二極管伏安特性曲線特點(diǎn)
              二極管伏安特性曲線
              正向特性(外加正向電壓,上圖中X坐標(biāo)的正半部分)
              當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值后,二極管才有明顯的正向電流,該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。
              在室溫下,硅管的Vth約為0.5V,鍺管的Vth約為0.1V。大于導(dǎo)通電壓的區(qū)域稱為導(dǎo)通區(qū)。
              當(dāng)流過二極管的電流I比較大時,二極管兩端的電壓幾乎維持恒定,硅管約為0.6~0.8V(通常取0.7V),鍺管約為0.2~0.3V(通常取0.2V)。
              反向特性(外加正向電壓,上圖中X坐標(biāo)的負(fù)半部分)
              在反向電壓小于反向擊穿電壓的范圍內(nèi),由少數(shù)載流子形成的反向電流很小,而且與反向電壓的大小基本無關(guān)。 此部分為截止區(qū)。
              由二極管的正向與反向特性可直觀的看出:①二極管是非線性器件;②二極管具有單向?qū)щ娦浴?/div>
              反向擊穿特性
              當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值VBR時,反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象叫做二極管的反向擊穿。
              溫度影響:
              溫度升高時,正向壓降減小,正向伏安特性左移。溫度每升高1℃,二極管的正向壓降減小2~2.5mV。
              溫度升高時,反向電流大約增加一倍,反向伏安特性下移。溫度每升高10℃,反向電流大約增加一倍。
              溫度降低時,二極管的正偏導(dǎo)通閾值電壓會升高,反偏電流會減小,反向擊穿電壓也減小。
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