PMOS+NMOS作為開機(jī)信號，開機(jī)要求為高電平開機(jī)，最小電壓為1.8V，耐壓可達(dá)17V，為使可靠，選擇5V左右（14V4通過100K和56K分壓，設(shè)計(jì)者是這么想的）。但生產(chǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)此開機(jī)按鍵并不起作用，表現(xiàn)為按下開機(jī)按鍵和不按開機(jī)按鍵都是不開機(jī)。
說明：此處開機(jī)按鍵為撥動開關(guān)，按下時(shí)不開機(jī)，說明輸出并不是高電平。
按下按鍵：通過萬用表測量，發(fā)現(xiàn)前端PNP三極管的E極電壓只有1V多一點(diǎn)。C極0.17V,R148前端14.4V正常。
實(shí)際電路如下：
畫出其大概的等效電路，如上圖草圖，如不考慮三極管和NMOS導(dǎo)通時(shí)的壓降，三極管C極電壓應(yīng)該為14.4x(1.5/100||1.5)=0.22V.但實(shí)際為0.17V左右。
查閱芯片CJX3439K手冊如上（NMOS和PMOS參數(shù)對稱），開啟電壓VGS最大為1.1V，最小為0.35V，而此NMOS G極電壓為14.4與R105|R27分壓的值，為5.2V，因此NMOS完全導(dǎo)通。
由于三極管VCE=1.13-0.17，約為1V，此時(shí)三極管并未導(dǎo)通，處于放大狀態(tài)，此時(shí)PMOS VGS<-0.17V，比最小開啟電壓0.35V還小，因此此時(shí)P-MOS處于關(guān)閉狀態(tài)，所以R32=1.5K太小是導(dǎo)致此問題出現(xiàn)的原因，將R32換做100K后開機(jī)正常，PMOS良好導(dǎo)通，此時(shí)P-MOS G極電壓為1.93V，實(shí)際測量值見上圖。
三極管及MOS參數(shù)如下圖：
此電路的優(yōu)化：
整理整個電路的思路：要求低電平開機(jī)，即：按鍵按下時(shí)接地，整個開關(guān)電路輸出為高電平，也即常用的反相器的作用。
用一個PNP BJT或一個P-MOS即可實(shí)現(xiàn)，但此電路多余了一個NPN+PNP，有點(diǎn)冗余，考慮設(shè)計(jì)時(shí)還接入了遠(yuǎn)程開機(jī)方案，必須使用N-MOS+P-MOS（遠(yuǎn)程開機(jī)為高電平起作用），因此應(yīng)保留P-MOS，修改后的電路如下：
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280