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            6. MOS管的開關(guān)特性介紹
              • 發(fā)布時間:2021-03-20 14:11:59
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              MOS管的開關(guān)特性介紹
              1. MOSFET結(jié)構(gòu)
              MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分為N溝道NMOS和P溝道PMOS。
              下圖為NMOS的結(jié)構(gòu)圖:
              MOS管的開關(guān)特性
              2. MOSFET符號
              NMOS的符號圖如下所示:
              MOS管的開關(guān)特性
              PMOS的符號如下圖所示:
              MOS管的開關(guān)特性
              3. MOSFET的特性曲線
              下面以NMOS為例,介紹MOSFET的特性曲線,下圖為NMOS放大電路示意圖:
              MOS管的特性
              在可變電阻區(qū),負載電流iD隨著UGS成非線性關(guān)系,同時受輸出電壓UD的影響;
              在恒流區(qū),負載電流iD隨UGS的增加而增加,且不隨輸出電壓UD的變化而變化;
              在夾斷區(qū),負載電流iD基本為0。
              MOS管的特性
              4.MOSFET開關(guān)特性
              當柵極G和源極S之間的電壓VGS小于VGS(th)時,由于漏極D和源極S之間有一個反向PN結(jié)截止,所以漏極電壓等于VGS;
              當柵極G和源極S之間的電壓VGS大于2VGS(th)時,P型襯底的自由電子被吸引到兩個N溝道之間,當濃度達到一定程度,兩N溝道被連接起來,從而實現(xiàn)導通。此時VGS為地電平(實際電路中,漏極D與電源之間有負載)。
              這樣就可以通過控制VGS的高低,實現(xiàn)NMOS開關(guān)電路。
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