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            6. mos管器件失效的原因是什么造成的
              • 發布時間:2019-10-24 13:51:19
              • 來源:
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              mos管器件自身的失效
              普通來說,器件的失效率具有圖14.1所示的傾向。反映這種傾向的曲線叫做澡盆曲線。澡盆曲線,如圖所示能夠分為早期失效、偶然失效、耗損失效三個階段。
              mos管失效
              1.早期失效
              制造廠家在器件出廠時要進行全數檢查,只要電學特性和外觀合格者才能進入市場。但是也難免有差的產品混入市場。經過疲倦實驗的產品,短時間運用出現的失效能夠認為是器件本身的制造質量問題。例如,芯片上布線斷開,封裝時引線焊接不牢,硅襯底或擴散層發作結晶缺陷,晶體管的電路閾值奇妙地偏離,器件制造時附著上灰塵、人的汗或唾液,隨著時間推移惹起性能失效等,都是早期失效的緣由。
              早期失效經過停止老化或者高溫通電狀態的牢靠性加速實驗(~168小時)能夠降低。出廠檢查時或者按用戶請求將各種電子元器件組裝成設備出廠行進行這些檢查,能夠減少早期失效。
              2.偶爾失效
              器件的失效形式沒有規律性,或者說沒有連續性。呈現在失效率很低的穩定期,要進一步降低失效率有艱難。有時會由于用戶的運用環境偶爾呈現器件過載惹起,要辨別失效緣由有艱難。處理方法是確保器件本身設計的堅韌性(鞏固性,設計規則上留有一定的余量)。
              但是要進步堅韌性就要增大芯片尺寸。從集成化(芯片尺寸)/成本的角度看是不利的。
              3.耗損失效
              相當于器件的壽命。設計的堅韌性影響很大。半導體產品假如在四周環境(溫度、濕度等)以及電學特性額定值以內運用的話,壽命應該在10年以上。
              定制產品或特定用處的ASSP(Application Specific Standard Product,專用定制產品)中,往往是廠家與用戶意見一致地決定器件可靠性水平的目標值。
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